概覽－iShares 半導體 ETF
Henry 快速總結
- ・高成長高波動：Beta 值高達 2.07，標準差達 33.98%，明顯高於大盤 VOO（1.00 / 13.14%），當大市上升10%時，SOXX預期上升約20.7%；反之亦然，具強勁放大效應。
・高度半導體暴露：100% 集中於資訊科技板塊（半導體79.98%、半導體設備19.92%），前十大持股佔比約60%，充分捕捉AI、數據 中心及高性能運算的結構性成長機會。
・長期回報大幅領先：過去一年回報173.10%、十年年化34.56%，遠超VOO的32.94%及15.50%，Alpha高達12.62，風險調整後報酬出色。
・適合成長型投資者：特別適合追求高資本增值、風險承受力較高的投資者，建議作為衛星配置（佔組合10-20%），搭配VOO等大盤核心資產，可實現攻守兼備的高報酬組合。
簡介
iShares Semiconductor ETF（股票代號：SOXX）是由BlackRock旗下iShares管理的被動式交易所買賣基金，於2001年7月在美國NASDAQ上市。
SOXX追蹤「NYSE Semiconductor Index」（或ICE Semiconductor Index），精選30隻美國上市半導體行業龍頭企業，涵蓋晶片設計、製造、設備及相關供應鏈，採用全面複製策略，旨在提供扣除費用前與指數表現高度相關的投資回報。
SOXX管理費僅0.34%，資產規模約320億美元，每季派息一次，TTM收益率約0.33%。成份股高度集中，前十大持倉 （NVIDIA、Broadcom、AMD、Micron等）佔比約60%，以高成長科技巨頭為主，聚焦AI、數據中心、高性能運算等前沿領域。
SOXX 三年Beta值約2.07，三年標準差達33.98%，具明顯高波動特性，適合追求資本增值、看好半導體長期結構性增長的成長型投資者。在AI及數位轉型浪潮下，提供高純度美股半導體板塊曝光機會，但亦伴隨較大週期及地緣風險，適合風險承受力較高的投資者作為組合成長核心配置。
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基本資料
ETF名稱
iShares Semiconductor ETF
交易所代碼
SOXX
上市交易所
NASDAQ
發行商
BlackRock (iShares)
上市日期
2001年7月10日
資產規模*
美元 $32,832,688,963
管理費
0.34%
經常性開支
0.34%
成份股數量
30
派息率*
0.33%
派息頻率
季度
ETF策略
追蹤指數
紐約證券交易所半導體指數（NYSE Semiconductor Index）
ETF 類別
美股半導體ETF
ETF 底層資產
股票
ETF 管理模式
被動追蹤
投資潛力－iShares 半導體 ETF
美股iShares半導體ETF（SOXX）追蹤NYSE Semiconductor Index，提供約30檔半導體及半導體設備公司暴露，前十大持股（NVDA、AVGO、MU、AMD等）約佔60%，費用率僅0.34%、AUM約380億美元。
這隻ETF特別之處在於2001年成立、流動性極高，並採用modified market-cap weighting（單一持股上限10%），提供較SMH略分散、更均衡的半導體產業純正暴露。基於目前AI supercycle與資料中心capex環境，屬於同時短期+長期投資：短期捕捉財報與訂單催化劑，長期作為AI基礎設施核心配置。
投資者選擇SOXX主要是為低成本、高流動性方式獲取半導體行業beta，無需個股挑選。透過該ETF取得的行業或主題曝光或長期趨勢為AI驅動半導體產業，前景吸引在於結構性需求：Deloitte預測2026年全球半導體營收達9750億美元（YoY成長26%），AI晶片貢獻近50%，支撐產業超級週期至2027年。
Deloitte圖表預測2026年全球半導體產業營收達9750億美元，AI晶片貢獻近50%，凸顯AI驅動的結構性超級週期。
指數機制－iShares 半導體 ETF
SOXX（iShares Semiconductor ETF）追蹤「NYSE Semiconductor Index」（紐約證交所半導體指數）
其選股機制從美國上市半導體行業公司出發，依據ICE Uniform Sector Classification分類，篩選屬於半導體產業（包括設計、製造、設備、封測及相關供應鏈）的公司，必須符合最低市值、流動性及上市交易所要求（主要NYSE、NASDAQ等）。
接著選取市值最大的30隻合格證券，採用修改市值加權（modified market-cap weighting），並實施嚴格權重上限（前五大持股各上限8%，其餘上限4%），同時ADR總權重上限10%，避免單一股過度集中。指數每年重組、每季再平衡。
與同類型ETF如SMH（VanEck Semiconductor ETF，追蹤MVIS US Listed Semiconductor 25 Index）相比，SOXX成分股較多（30隻 vs 25隻），分散度稍高；權重上限更嚴謹（8%/4% vs SMH較寬鬆集中），更注重單一風險控制與中大型股平衡，而非純粹讓巨頭主導。
SOXX在維持高純度半導體暴露的同時，提供較佳的風險分散優勢，適合追求AI及半導體長期成長、同時希望控制極端集中風險的投資者。
歷史回報－iShares 半導體 ETF
iShares Semiconductor ETF（SOXX）與 Vanguard S&P 500 ETF（VOO）過去10年（2016–2025）回報表現呈現明顯「高成長 vs 穩健防禦」格局。
SOXX 在科技牛市中展現強大爆發力：2023年達+67.13%、2019年+62.43%、2020年+52.73%，多個年度大幅領先VOO，10年累計資本增值遠超大盤，主要受惠於AI、數據中心及半導體結構性需求爆發。然而，其波動性極高，2022年熊市重挫-35.09%，遠高於VOO的-18.19%。
相較之下，VOO 作為標普500核心ETF，每年回報較為平穩，極少出現極端波動，提供更佳的下檔保護，適合追求長期穩健增長的投資者。
若以絕對回報論，SOXX明顯優勝，特別適合風險承受力高、看好科技長期趨勢的成長型投資者。
歷年回報(%)
SOXX
iShares 半導體 ETF
VOO
Vanguard 標普500 ETF
2016
38.35
12.17
2017
39.79
21.77
2018
-6.48
-4.50
2019
62.43
31.35
2020
52.73
18.29
2021
44.09
28.78
2022
-35.09
-18.19
2023
67.13
26.32
2024
12.92
24.98
2025
40.73
17.82
滾動年化回報－iShares 半導體 ETF
SOXX與VOO的滾動回報呈現極為鮮明的「高成長 vs 穩健大盤」格局。
短期來看，SOXX全面大幅領先：1日上漲5.00%（VOO僅1.41%），1週達12.64%（VOO 3.12%），1個月更高達47.30%（VOO僅11.39%），顯示半導體板塊在AI熱潮下的強勁動能。
進入中期後，SOXX優勢進一步擴大。3個月報酬45.53%（VOO僅6.55%），YTD更錄得68.41%（VOO僅7.92%），即使在市場波動中仍展現壓倒性表現。
長期而言，SOXX更是全面勝出。過去1年總回報高達173.10%，遠高於VOO的32.94%；3年年化55.26%對比22.84%；5年年化30.61%對比13.46%；10年年化34.56%大幅領先15.50%；15年年化亦以25.40%勝出14.07%。
SOXX適合作為成長型衛星ETF配置，搭配VOO等大盤核心資產，可有效提升整體組合報酬，同時透過分散降低單一板塊風險。
滾動年化回報(%)
SOXX
iShares 半導體 ETF
VOO
Vanguard 標普500 ETF
1-Day
5.00
1.41
1-Week
12.64
3.12
1-Month
47.30
11.39
3-Month
45.53
6.55
YTD
68.41
7.92
1-Year
173.10
32.94
3-Year
55.26
22.84
5-Year
30.61
13.46
10-Year
34.56
15.50
15-Year
25.40
14.07
數據更新日期：2026年5月28日
假如你投入一萬港幣的投資回報
#以上回報未扣除管理費用、交易成本及稅率，只供參考用途，並不構成任何投資建議。過去表現不代表未來結果，投資涉及風險，投資者應自行作出獨立判斷。
SOXX（iShares 半導體ETF）的表現明顯較為出色。 10,000港 幣經過十年複利增長後，最終增值至111,457港幣，累計回報高達+1,014.57%，年化報酬率約為27.27%。
相對之下，VOO（Vanguard S&P 500 ETF）同期僅增長至39,718港幣，累計回報+297.18%，年化報酬率約為14.79%。
SOXX在多個科技牛市年份（如2019、2020、2023、2025）錄得極強漲幅，即使在2022年熊市大幅回撤-35.09%，仍能透過後續強勁反彈大幅領先。其高純度半導體板塊策略，成功捕捉AI、數據中心及高性能運算等結構性成長機會，提供遠超大盤的長期超額回報。
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成份股－iShares 半導體 ETF
前十大持倉
MICRON TECHNOLOGY INC（美光科技）
8.96%
ADVANCED MICRO DEVICES INC（超微）
8.7%
BROADCOM INC（博通）
7.38%
INTEL CORPORATION（英特爾）
6.86%
NVIDIA CORP（英偉達）
6.5%
MARVELL TECHNOLOGY INC（邁威爾科技）
5.84%
APPLIED MATERIALS INC（應用材料）
4.76%
MONOLITHIC POWER SYSTEMS INC（芯源系統）
4.01%
TEXAS INSTRUMENTS INC（德州儀器）
3.78%
QUALCOMM INC（高通）
3.75%
數據更新日期：2026年5月28日
行業分布
半導體
79.98%
半導體設備
19.92%
現金及/或衍生工具
0.11%
與大市指數對比
SOXX（iShares Semiconductor ETF）重倉高成長科技板塊：資訊科技100.00%、半導體高度集中，幾乎100%暴露於半導體及相關設備產業鏈。
而標普500 ETF（VOO）則配置更為均衡分散，資訊科技僅33.62%、金融服務12.21%、非必需消費品10.02%、通訊服務10.50%、醫療保健9.48%、工業8.48%，其餘傳統防禦板塊亦有配置。
SOXX為半導體主題ETF、完全持有資訊科技成份股，完全避開其他傳統板塊，配置極度集中且成長導向。
SOXX優勢在於：1. 完全半導體暴露，能充分捕捉AI、數據中心及高性能運算的結構性成長機會，提供遠超大盤的資本增值潛力；
2. 過去10年累計回報遠高於VOO，展現強勁爆發力；
3. 避開傳統價值型板塊的低成長拖累。
派息記錄－iShares 半導體 ETF
最新派息
iShares 半導體ETF（SOXX）於2026年3月公告，每股派息0.20794美元，除淨日為3月17日，派息日為3月20日（已派付）。SOXX過去12個月（TTM）累計派息約1.67美元，按最新股價計算，TTM股息收益率約0.33%。
除淨日
派息日
派息額
2026/03/17
2026/03/20
1股派息0.20794USD
2025/12/16
2025/12/19
1股派息0.43627USD
2025/09/16
2025/09/19
1股派息0.54075USD
2025/06/16
2025/06/20
1股派息0.48328USD
2025/03/18
2025/03/21
1股派息0.26111USD
風險指標－iShares 半導體 ETF
SOXX
iShares 半導體ETF
VOO
Vanguard 標普500 ETF
Alpha
12.62
-0.03
Beta
2.07
1.00
R2
59.94
100.00
夏普比率
1.24
1.21
標準差
33.98
13.14
數據更新日期：2026年5月28日
風險數據解讀
SOXX（iShares Semiconductor ETF）與 VOO（Vanguard S&P 500 ETF）的風險指標呈現極為鮮明的「高成長 vs 穩健大盤」對比。
SOXX的Beta值高達2.07，遠高於市場基準ETF VOO的1.00，代表該ETF對標普500指數的波動敏感度大幅提升。當大市上升10%時，SOXX預期上升約20.7%；
反之，大市下跌10%時，SOXX跌幅也將達約20.7%。這種高Beta特性主要來自其100%集中於半導體產業鏈的高成長策略，精選AI、數據中心及高性能運算相關龍頭股，屬於典型的進取型配置。在市場大幅上漲階段，SOXX能充分放大收益，但在熊市或震盪市中，系統性風險也明顯更高。
SOXX的標準差高達33.98%，明顯高於VOO的13.14%，顯示其歷史波動率是大盤ETF的2.6倍。這意味著過去三年內，SOXX的每日淨值波動幅度顯著較大，投資者承擔的價格風險更高。
高成長半導體ETF傾向持有高Beta、高波動的科技龍頭股，因此整體組合波動性被大幅放大。
儘管如此，SOXX的夏普比率仍達1.24，略高於VOO的1.21，代表在承擔較高風險的情況下，仍能創造更優秀的風險調整後報酬。同時其Alpha高達12.62，顯示長期超額報酬能力極強。整體而言，SOXX適合追求高資本增值的成長型投資者作為衛星配置，搭配VOO等大盤核心資產，可實現攻守兼備的組合效果。
挑選費用最低的證券商
挑選費用率低的證券商，能顯著提升長期投資收益。選擇提供「免佣金交易」及「免代收股息費」的證券商，可有效降低整體投資成本。
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